ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NZT660
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - NZT660 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - NZT660
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 60 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 550mV @ 300mA, 3A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223-4 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 75MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 500mA, 2V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NZT66 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi NZT660
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NZT660 | NZT6715 | NZT6714 | NZT660A |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | NPN | NPN | PNP |
| ชุด | - | - | - | - |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 550mV @ 300mA, 3A | 500mV @ 100mA, 1A | 500mV @ 100mA, 1A | 500mV @ 300mA, 3A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | 1.5 A | 2 A | 3 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NZT66 | NZT67 | NZT67 | NZT660 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 500mA, 2V | 50 @ 1A, 1V | 50 @ 1A, 1V | 250 @ 500mA, 2V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA (ICBO) | 100µA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2 W | 1 W | 1 W | 2 W |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 75MHz | - | - | 75MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-3 | SOT-223-4 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-3 | TO-261-4, TO-261AA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 60 V | 40 V | 30 V | 60 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NZT660 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ NZT660 - onsemi
NZT6715onsemiTRANS NPN 40V 1.5A SOT223-4NZT6714onsemiTRANS NPN 30V 2A SOT223-3NZT660AonsemiTRANS PNP 60V 3A SOT223-4
NZT560A MOSFairchild (onsemi)NZT6726onsemiTRANS PNP 30V 1.5A SOT223-4NZT660A MOSFairchild (onsemi)NZT6714Fairchild SemiconductorTRANS NPN 30V 2A SOT223-4NZT6717onsemiTRANS NPN 80V 1.2A SOT223-4NZT6717Fairchild SemiconductorTRANS NPN 80V 1.2A SOT223-4NZT560AonsemiTRANS NPN 60V 3A SOT223-4NZT45H8 MOSFairchild (onsemi)NZT660Fairchild SemiconductorPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 60NZT6714 MOSAMI Semiconductor/onsemiNZT45H8Fairchild SemiconductorPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 60NZT560onsemiTRANS NPN 60V 3A SOT223-4NZT45H8-NLAMI Semiconductor/onsemiNZT651onsemiTRANS NPN 60V 4A SOT223-4NZT605onsemiTRANS NPN DARL 110V 1.5A SOT223| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที