ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFD15P05SM
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - RFD15P05SM คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - RFD15P05SM
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 15A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 80W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1150 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 150 nC @ 20 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 15A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFD15 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi RFD15P05SM
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFD15P05SM | RFD15P05 | RFD15N06LESM | RFD15P06SM |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Harris Corporation | Harris Corporation |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1150 pF @ 25 V | 1150 pF @ 25 V | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 15A, 10V | 150mOhm @ 15A, 10V | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 150 nC @ 20 V | 150 nC @ 20 V | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50 V | 50 V | 60 V | 60 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | I-PAK | TO-252-3 (DPAK) | TO-252-3 (DPAK) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 80W (Tc) | 80W (Tc) | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 15A (Tc) | 15A (Tc) | 15A | 15A |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFD15 | RFD15 | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RFD15P05SM PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ RFD15P05SM - onsemi
RFD15N05RFD15P06
RFD15P06SM MOSFairchild (onsemi)RFD15P05SM MOSHARRISRFD15P06 MOSFairchild (onsemi)RFD15N06LE MOSFairchild (onsemi)
RFD15P05 MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)RFD15N06LESM MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)RFD15P05onsemiMOSFET P-CH 50V 15A I-PAKRFD15P05SM9A MOSHARRISRFD15N05LSMFairchild (onsemi)RFD15P06SM9AS2463INTERSRFD16N02LSMFairchild (onsemi)RFD15P06LSMRFD15N06HARRISRFD15N06LEFairchild (onsemi)RFD15N06LESMHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETRFD15P06SMHarris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFET| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที