ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFD8P05SM
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - RFD8P05SM คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - RFD8P05SM
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 8A, 10V | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 80 nC @ 20 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFD8P |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi RFD8P05SM
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFD8P05SM | RFD8P05SM | RFD8P06LE | RFD8P05SM9A |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation | Harris Corporation |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | * | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 8A, 10V | 300mOhm @ 8A, 10V | - | - |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFD8P | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8A (Tc) | 8A (Tc) | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 80 nC @ 20 V | 80 nC @ 20 V | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50 V | 50 V | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RFD8P05SM PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ RFD8P05SM - onsemi
RFD8P05SMFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 50V 8A TO252AARFD8P06LEHarris Corporation8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWERFD4N06L MOSFairchild (onsemi)
RFD8P06Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)RFD4N06LSMFairchild (onsemi)RFD8P03LSM96Harris CorporationRFD8P03LSM96RFD8P05SM MOSHARRISRFD8P05SM9AHarris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETRFD3055SM9A136HARRIS
RFD77402RF DigitalIOT 3D TOF SENSOR MODULERFD60N10Fairchild (onsemi)RFD3055SM9AFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 12A TO252AARFD8P06ESMHarris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETRFD8P06EHarris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETRFD4N06LHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET
RFD8P05onsemiMOSFET P-CH 50V 8A I-PAKRFD8P06LEFairchild SemiconductorP-CHANNEL POWER MOSFET
RFD8P05SM9A MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที