ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFP70N06
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - RFP70N06 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - RFP70N06
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 70A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 150W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2250 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 156 nC @ 20 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 70A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFP70 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi RFP70N06
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFP70N06 | RFP70N03 | RFP8P05 | RFP70N03 |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 70A, 10V | 10mOhm @ 70A, 10V | 300mOhm @ 8A, 10V | 10mOhm @ 70A, 10V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFP70 | RFP70 | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 70A (Tc) | 70A (Tc) | 8A (Tc) | 70A (Tc) |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2250 pF @ 25 V | 3300 pF @ 25 V | - | 3300 pF @ 25 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 156 nC @ 20 V | 260 nC @ 20 V | 80 nC @ 20 V | 260 nC @ 20 V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 150W (Tc) | - | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 30 V | 50 V | 30 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RFP70N06 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ RFP70N06 - onsemi
RFP60N06HRFP70N06 MOSHARRISRFP70N03onsemiMOSFET N-CH 30V 70A TO220-3RFP8P06EVBSEMIRFP60P03Fairchild (onsemi)
RFP70N03 MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)RFP60P03 MOSFairchild (onsemi)RFP60P06Fairchild (onsemi)RFP8P05Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 50V 8A TO220-3RFP70N03Harris CorporationMOSFET N-CH 30V 70A TO220-3RFP75N75Intersil (Renesas Electronics Corporation)RFP70N03S MOSFairchild (onsemi)RFP8P05onsemiMOSFET P-CH 50V 8A TO220-3RFP8N18Fairchild (onsemi)RFP6P10Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETRFP70N10Intersil (Renesas Electronics Corporation)RFP7N10LEFairchild (onsemi)RFP70N06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที