ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SBR640CTT4G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SBR640CTT4G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SBR640CTT4G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 700 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 3A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SBR640 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SBR640CTT4G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SBR640CTT4G | SBR660CTLQ-13 | SBR6100CTLQ-13 | SBR660CTL-13 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| เทคโนโลยี | Schottky | Super Barrier | Super Barrier | Super Barrier |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DPAK | TO-252-3 | TO-252-3 | TO-252-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 60 V | 100 V | 60 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 40 V | 500 µA @ 60 V | 100 µA @ 100 V | 500 µA @ 60 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| ชุด | - | SBR® | SBR® | SBR® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SBR640 | SBR660 | SBR6100 | SBR660 |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 700 mV @ 3 A | 570 mV @ 3 A | 740 mV @ 3 A | 570 mV @ 3 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 3A | 3A | 6A | 3A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SBR640CTT4G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SBR640CTT4G - onsemi
SBR6U400P5-13Diodes IncorporatedSBR6100CTLQDiodes Incorporated
SBR7035RMicrosemiIGBT ModuleSBR660CTLDiodes IncorporatedSBR6100CTQ-13Diodes IncorporatedSBR7035MicrosemiIGBT ModuleSBR660CTL-13-81Diodes IncorporatedSBR660CTLQ-13Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SBR 60V 3A TO252SBR6150CTLDiodes IncorporatedSBR7045MicrosemiIGBT ModuleSBR6100CTLQ-13Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SBR 100V 6A TO252SBR660CTL-13Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SBR 60V 3A TO252SBR6100CTL-13Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SBR 100V 3A TO252SBR6150CTL-13Diodes IncorporatedSBR6200CTLDiodes IncorporatedSBR6100CTL-13-89Diodes IncorporatedSBR660CTLQDiodes IncorporatedSBR6200CTL-13Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SBR 200V 3A TO252-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที