ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SFF9250L
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SFF9250L คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SFF9250L
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PF | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 6.3A, 5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 90W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3 Full Pack | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3250 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 120 nC @ 5 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12.6A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SFF925 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SFF9250L
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SFF9250L | SFF9250L | SFF1506 | SFF504G |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | DACO | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | - | Tube |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SFF925 | - | - | SFF504 |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 6.3A, 5V | 230mOhm @ 6.3A, 5V | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 90W (Tc) | 90W (Tc) | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 200 V | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PF | TO-3PF | - | ITO-220AB |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12.6A (Tc) | 12.6A (Tc) | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | 5V | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 120 nC @ 5 V | 120 nC @ 5 V | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 3250 pF @ 25 V | 3250 pF @ 25 V | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3 Full Pack | - | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SFF9250L PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SFF9250L - onsemi
SFF1506DACOSFF9250LFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 200V 12.6A TO3PFSFF504GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 5A ITO220ABSFF2N60SEMIWELLSFF2004GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 20A ITO220ABSFF1605GTaiwan SemiconductorSFF2006GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 20A ITO220ABSFF2005GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 300V 20A ITO220ABSFF1606GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 16A ITO220ABSFF1604MHCHXM
SFF5122ZRFMDSFF9244SFF10N60WISDOMSFF1602SFF1604GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 16A ITO220ABSFF1608GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 16A ITO220ABSFF9140SECSFF2004MHCHXM| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที