ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SGL160N60UFTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SGL160N60UFTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SGL160N60UFTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.6V @ 15V, 80A | |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 40ns/90ns | |
| การสลับพลังงาน | 2.5mJ (on), 1.76mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 345 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 300 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 160 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGL16 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SGL160N60UFTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SGL160N60UFTU | SGL160N60UFDTU | SGL40N150DTU | SGL25N120RUFTU |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264-3 | TO-264-3 | HPM F2 | - |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V | 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V | - | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 160 A | 160 A | 40 A | 40 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 300 A | 300 A | 120 A | 75 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGL16 | SGL160 | SGL40 | SGL25N |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 345 nC | 345 nC | 140 nC | 165 nC |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 1500 V | 1200 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.6V @ 15V, 80A | 2.6V @ 15V, 80A | 4.7V @ 15V, 40A | 3V @ 15V, 25A |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 40ns/90ns | 40ns/90ns | - | 30ns/70ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | 250 W | 200 W | 270 W |
| การสลับพลังงาน | 2.5mJ (on), 1.76mJ (off) | 2.5mJ (on), 1.76mJ (off) | - | 1.6mJ (on), 1.63mJ (off) |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SGL160N60UFTU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SGL160N60UFTU - onsemi
SGL160N60UFDTUonsemiIGBT 600V 160A 250W TO264SGL41-20GS
SGL34-02-GS08Electro-Films (EFI) / VishaySGL0163ZQORVOSGL40N150DTUFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTSGL25N120RUFTUFairchild SemiconductorIGBT, 40A, 1200V, N-CHANNELSGL0622ZQORVOSGL41-30-E3/75Electro-Films (EFI) / VishaySGL160N60UFDAMI Semiconductor/onsemiSGL41-30Electro-Films (EFI) / VishaySGL1680GSLSGL25N120RUFFAIRCHI
SGL34-20Diotec SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 500MA DO213AASGL41-40Electro-Films (EFI) / VishaySGL40N150DTUonsemiIGBT 1500V 40A 200W TO264SGL41-20/46Electro-Films (EFI) / Vishay
SGL-0622ZRFMDIC AMP HBT SIGE 4000MHZ 8-QFN
SGL41-30-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 1A GL41| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที