ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SGL50N60RUFTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SGL50N60RUFTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SGL50N60RUFTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.8V @ 15V, 50A | |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 26ns/66ns | |
| การสลับพลังงาน | 1.68mJ (on), 1.03mJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264-3 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 145 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 150 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 80 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGL50N60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SGL50N60RUFTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SGL50N60RUFTU | SGL50N60RUFDTU | SGL50N60RUFDTU | SGL5N150UFTU |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 26ns/66ns | 26ns/66ns | 26ns/66ns | 10ns/30ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V | 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V | 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V | 600V, 5A, 10Ohm, 10V |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 145 nC | 145 nC | 145 nC | 30 nC |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | 250 W | 250 W | 125 W |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การสลับพลังงาน | 1.68mJ (on), 1.03mJ (off) | 1.68mJ (on), 1.03mJ (off) | 1.68mJ (on), 1.03mJ (off) | 190µJ (on), 100µJ (off) |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 150 A | 150 A | 150 A | 20 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-264-3 | HPM F2 | TO-264-3 | TO-264-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGL50N60 | SGL50N60 | SGL50N60 | SGL5N |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 80 A | 80 A | 80 A | 10 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.8V @ 15V, 50A | 2.8V @ 15V, 50A | 2.8V @ 15V, 50A | 5.5V @ 10V, 5A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 1500 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SGL50N60RUFTU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SGL50N60RUFTU - onsemi
SGL8023WSIGMA
SGL41-40Electro-Films (EFI) / VishaySGL60N90DG3FSCSGL50N60RUFDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
SGL41-60-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 1A GL41SGL50T120SFDSSCSGL8022KSIGMA
SGL41-30-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 1A GL41SGL8022WSIGMASGL41-40HE3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41SGL50N60RUFDTUonsemiIGBT 600V 80A TO264-3SGL60N09DGFSCSGL5N150UFTUonsemiIGBT 1500V 10A 125W TO264SGL8022WSSGSGL41-50-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 50V 1A GL41SGL41-40-E3/96Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 1A GL41SGL80022WSIGMASGL41-40-E3Electro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที