ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SGR6N60UFTF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SGR6N60UFTF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SGR6N60UFTF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.6V @ 15V, 3A | |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 3A, 80Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 15ns/60ns | |
| การสลับพลังงาน | 57µJ (on), 25µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 30 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 15 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 25 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 6 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGR6N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SGR6N60UFTF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SGR6N60UFTF | STGF20NB60S | SGR20N40LTF | IRGBC20FD2 |
| ผู้ผลิต | onsemi | STMicroelectronics | onsemi | Infineon Technologies |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - |
| ชุด | - | PowerMESH™ | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252AA | TO-220FP | TO-252AA | TO-220AB |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 3A, 80Ohm, 15V | 480V, 20A, 100Ohm, 15V | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGR6N | STGF20 | SGR20 | - |
| การสลับพลังงาน | 57µJ (on), 25µJ (off) | 840µJ (on), 7.4mJ (off) | - | - |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 15ns/60ns | 92ns/1.1µs | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-3 Full Pack | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-3 |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 15 nC | 83 nC | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 30 W | 40 W | 45 W | - |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 25 A | 70 A | 150 A | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.6V @ 15V, 3A | 1.7V @ 15V, 20A | 8V @ 4.5V, 150A | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 6 A | 24 A | - | 16 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 400 V | 600 V |
| ประเภท IGBT | - | - | Trench | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SGR6N60UFTF PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SGR6N60UFTF - onsemi
SGR3000GXH28TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleSTGF20NB60SSTMicroelectronicsIGBT 600V 24A 40W TO220FPSGR20N40LTFonsemiIGBT 400V 45W DPAK
SGR282-024VDCELESTAIRGBC20FD2Infineon TechnologiesIGBT W/DIODE 600V 16A TO-220ABSGR15N40LTFonsemiIGBT 400V 45W DPAK
SGR6N60UFTFFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTSGR6N60UFTMonsemiIGBT 600V 6A 30W DPAKSGR2N60UFDTMonsemiIGBT 600V 2.4A 25W DPAKSGR2N60UFDTFonsemiIGBT 600V 2.4A 25W DPAKSGR15N40LFairchild (onsemi)SGR117AK/883BMSCSGR3000EX26TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleSGR6N60UFTMFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTSGR6N60UFFairchild (onsemi)SGR15N40LTFFairchild SemiconductorIGBT, 400V, N-CHANNEL, TO-252
STGWA20M65DF2STMicroelectronicsIGBT TRENCH 650V 40A TO247STGD10HF60KDSTMicroelectronicsIGBT 600V 10A DPAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที