ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SGS23N60UFDTU
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SGS23N60UFDTU คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SGS23N60UFDTU
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.6V @ 15V, 12A | |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 12A, 23Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 17ns/60ns | |
| การสลับพลังงาน | 115µJ (on), 135µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-3 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 73 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 49 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 92 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 23 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGS23N60 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SGS23N60UFDTU
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SGS23N60UFDTU | STGW20NC60VD | SGS23N60UFDTU | STGF10NB60SD |
| ผู้ผลิต | onsemi | STMicroelectronics | Fairchild Semiconductor | STMicroelectronics |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 17ns/60ns | 31ns/100ns | 17ns/60ns | 700ns/1.2µs |
| ทดสอบสภาพ | 300V, 12A, 23Ohm, 15V | 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V | 300V, 12A, 23Ohm, 15V | 480V, 10A, 1kOhm, 15V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 23 A | 60 A | 23 A | 23 A |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 92 A | 150 A | 92 A | 80 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SGS23N60 | STGW20 | SGS23N60 | STGF10 |
| ชุด | - | PowerMESH™ | - | PowerMESH™ |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | TO-247-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-3 | TO-247-3 | TO-220F | TO-220FP |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| การสลับพลังงาน | 115µJ (on), 135µJ (off) | 220µJ (on), 330µJ (off) | 115µJ (on), 135µJ (off) | 600µJ (on), 5mJ (off) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 73 W | 200 W | 73 W | 25 W |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 49 nC | 100 nC | 49 nC | 33 nC |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.6V @ 15V, 12A | 2.5V @ 15V, 20A | 2.6V @ 15V, 12A | 1.75V @ 15V, 10A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 60 ns | 44 ns | 60 ns | 37 ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SGS23N60UFDTU PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SGS23N60UFDTU - onsemi
STGW20NC60VDSTMicroelectronicsIGBT 600V 60A 200W TO247
SGSD200SGS23N60UFDTUFairchild SemiconductorIGBT, 23A I(C), 600V V(BR)CES, NSGS10N60RUFDTUFairchildSGS80DA020DIRIGBT ModuleSTGF10NB60SDSTMicroelectronicsIGBT 600V 23A 25W TO220FP
NGB15N41ACLT4GLittelfuse Inc.IGBT 440V 15A 107W D2PAK3
SGS80DA20DSTMicroelectronicsIGBT ModuleSGS23N60UFTUFSCSGS15DB080DSGSIGBT Module
STGP7NB60KDSTMicroelectronicsIGBT 600V 14A 80W TO220SGS310GLSGS
HGTP5N120BNDonsemiIGBT 1200V 21A 167W TO220ABSGS150DA030DSTMicroelectronicsIGBT ModuleSGS25DB070DIRIGBT ModuleSGSIF344STMicroelectronicsSGS50DB045DIRIGBT ModuleSGS23N60UFDFAIRCHIL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที