ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI9936DY
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SI9936DY คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SI9936DY
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 5A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 900mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 525pF @ 15V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 35nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI9936 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SI9936DY
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI9936DY | SI9936BDY-T1-E3 | SI9936DY | SI9936BDY |
| ผู้ผลิต | onsemi | Vishay Siliconix | Fairchild Semiconductor | SI |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 5A, 10V | 35mOhm @ 6A, 10V | 50mOhm @ 5A, 10V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 35nC @ 10V | 13nC @ 10V | 35nC @ 10V | - |
| คุณสมบัติ FET | - | Logic Level Gate | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 525pF @ 15V | - | 525pF @ 15V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5A | 4.5A | 5A | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 900mW | 1.1W | 900mW | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | 30V | 30V | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SI9936 | SI9936 | SI9936 | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI9936DY PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SI9936DY - onsemi
SI9936BDYSI
SI9936BDY-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI9934DY-T1-E3.Electro-Films (EFI) / VishaySI9939DYElectro-Films (EFI) / VishaySi9939DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI9936BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOICSI9936DYFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETSi9936DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI9936BSISI9939SI9936DY-T1-E3.Electro-Films (EFI) / VishaySI9936DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI9934DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI9936DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI9936DY_NLFairchild (onsemi)SI9936SISI9934DY-TISILILONIXSI9936AZSI| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที