ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SMBT35200MT1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SMBT35200MT1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SMBT35200MT1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 35 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 310mV @ 20mA, 2A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-TSOP | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 100MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 1.5A, 1.5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 2 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SMBT35200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SMBT35200MT1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SMBT35200MT1G | SMBT3904B5000 | SMBT2907AE6327HTSA1 | SMBT2222AE6327 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 1.5A, 1.5V | 100 @ 10mA, 1V | 100 @ 150mA, 10V | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SMBT35200 | - | MBT2907A | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 625 mW | 330 mW | 330 mW | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 2 A | 200 mA | 600 mA | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-TSOP | PG-SOT23 | PG-SOT23 | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP | NPN | PNP | - |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 100MHz | 300MHz | 200MHz | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 35 V | 40 V | 60 V | - |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 310mV @ 20mA, 2A | 300mV @ 5mA, 50mA | 1.6V @ 50mA, 500mA | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100nA | 50nA (ICBO) | 10nA (ICBO) | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SMBT35200MT1G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SMBT35200MT1G - onsemi
SMBT2222AE6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SMBT3904 B5003Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SMBT3904 E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
SMBT2222AT-7Diodes IncorporatedSMBT3904Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SMBT3904 E5000Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SMBT3904B5000Infineon TechnologiesTRANS NPN 40V 0.2A SOT23SMBT2907AE6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SMBT3904 E6767Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
SMBT2907AElectro-Films (EFI) / Vishay
SMBT2907A-E6327INFSMBT3904E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SMBT2907Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SMBT2907A E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SMBT2907AE6327HTSA1Infineon TechnologiesTRANS PNP 60V 0.6A SOT23SMBT3904B5003Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SMBT2907AE-6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
SMBT3904DW1T1GonsemiTRANS 2NPN 40V 0.2A SC88/SC70-6| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที