ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SS16T3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SS16T3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SS16T3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 720 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 60 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SS16 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SS16T3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SS16T3G | SS16HM2G | SS16HE3_B/I | SS16_R1_00001 |
| ผู้ผลิต | onsemi | TSC (Taiwan Semiconductor) | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Panjit International Inc. |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SS16 | - | SS16 | SS16 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 60 V | 200µA @ 60V | 200 µA @ 60 V | 100 µA @ 60 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 60V | 60 V | 60 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 50pF @ 4V, 1MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | SMA (DO-214AC) |
| เทคโนโลยี | Schottky | - | Schottky | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 720 mV @ 1 A | 750mV @ 1A | 750 mV @ 1 A | 700 mV @ 1 A |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SS16T3G PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SS16T3G - onsemi
SS16L R3Taiwan Semiconductor
SS1881KUASECSS16HM2GTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214ACSS16_R2_00001PANJITSS16HE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214ACSS16R1JIT
SS18-E3/61TElectro-Films (EFI) / Vishay
SS18-0B0P-00Avago Technologies (Broadcom)SS18-0B00-00Broadcom LimitedPEX9712-B080BC GSS16_R1_00001Panjit International Inc.DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
SS16W_R1_00001Panjit International Inc.DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMASS16WT/RPANJIT
SS18-LTPMicro Commercial CoDIODE SCHOTTKY 80V 1A DO214ACSS16L_R1_00001Panjit International Inc.DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMASS16M-07HRSGTaiwan SemiconductorSS16R3Taiwan SemiconductorSS16HE3_B/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214ACSS16L RQGTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 60V 1A SUB SMA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที