ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SSD2009ATF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SSD2009ATF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SSD2009ATF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 25nC @ 10V | |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A | |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SSD2009 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SSD2009ATF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SSD2009ATF | SSD2025TF | SSD2025TF | SSD2007ATF |
| ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V | 100mOhm @ 3.3A, 10V | 100mOhm @ 3.3A, 10V | 300mOhm @ 1.5A, 10V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | 2W | 2W | 2W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 25nC @ 10V | 30nC @ 10V | 30nC @ 10V | 15nC @ 10V |
| องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A | 3.3A | 3.3A | 2A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SSD2009 | SSD2025 | SSD2025 | SSD2007 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50V | 60V | 60V | 50V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SSD2009ATF PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SSD2009ATF - onsemi
SSD2002TFSamsung SemiconductorSSD2007ATF.Samsung Semiconductor
SSD2003VBSEMISSD2007ATF MOSSamsung SemiconductorSSD2011AFairchild (onsemi)SSD201SIGMASTARSSD2025TFonsemiMOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOICSSD2019ATF0SSD2025TFFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETSSD2004ATFSamsung SemiconductorSSD2005TFSamsung SemiconductorSSD2021VBSEMISSD2007ATFonsemiMOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOICSSD2013VBSEMISSD2025Fairchild (onsemi)SSD2009AVBSEMISSD2025-NLFairchild (onsemi)SSD2007ATFFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที