ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SSD2009ATF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - SSD2009ATF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - SSD2009ATF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | onsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V | |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 25nC @ 10V | |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A | |
องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SSD2009 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi SSD2009ATF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SSD2009ATF | SSD2025TF | SSD2025TF | SSD2007ATF |
ผู้ผลิต | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | - | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ชุด | - | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V | 100mOhm @ 3.3A, 10V | 100mOhm @ 3.3A, 10V | 300mOhm @ 1.5A, 10V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 2W | 2W | 2W | 2W |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 25nC @ 10V | 30nC @ 10V | 30nC @ 10V | 15nC @ 10V |
องค์ประกอบ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A | 3.3A | 3.3A | 2A |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SSD2009 | SSD2025 | SSD2025 | SSD2007 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50V | 60V | 60V | 50V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SSD2009ATF PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ SSD2009ATF - onsemi
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที