ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี US1AFA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - US1AFA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - US1AFA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FA | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123W | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | US1A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi US1AFA
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | US1AFA | US1AFA | US1A-13-F | US1A-13 |
| ผู้ผลิต | onsemi | Fairchild Semiconductor | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FA | SOD-123FA | SMA | SMA |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 1 A | 950 mV @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 50 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123W | SOD-123W | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | US1A | - | US1A | US1A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล US1AFA PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ US1AFA - onsemi
US1AFAFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 1A SOD123FAUS1A-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 1A SMAUS1A-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 1A SMAUS1D 2K/R
US1A-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
US1BFAonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FAUS1B T/RPANJIT
US1881LUAMelexisUS1B-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
US1C-E3/61TElectro-Films (EFI) / VishayUS1B-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 1A SMAUS1B-E3Electro-Films (EFI) / VishayUS1881LUA-AAA-OOO-BUMelexisUS1D R1,00001PANJITUS1A-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
US1881LUA-AAA-000-BUMelexis Technologies NVMAGNETIC SWITCH LATCH TO92UAUS1B-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
US1881LSOMelexis Technologies NVMAGNETIC SWITCH LATCH SOT23| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที