ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี US1MFA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - US1MFA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - US1MFA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FA | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123W | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | US1M |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi US1MFA
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | US1MFA | US1M-TP | US1MHE3_A/I | US1M-TP-HF |
| ผู้ผลิต | onsemi | Micro Commercial Co | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Micro Commercial Co |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 100 ns | 75 ns | 75 ns |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | US1M | US1M | US1M | US1M |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 1 A | 1.4 V @ 2 A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FA | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123W | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล US1MFA PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ US1MFA - onsemi
US1MHE3-A/HElectro-Films (EFI) / VishayUS1M-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACUS1MWG_R1_00001PANJIT
US1M/UF4007TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraUS1MAUJIEJIEUS1M-R1-10001PANJITUS1MHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACUS1M-R1-00101PANJITUS1MF_R1PANJITUS1M-TP-HFMicro Commercial CoInterface
US1MDFQ-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A DFLATUS1ME-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 1KV 1A SMAE
US1MS-GSensirionUS1M-TGWILLASUS1MWGPANJITUS1MHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACUS1MHE3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACUS1MHE3 A/HElectro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที