ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี AS2302
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - AS2302 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - AS2302
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.25V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3A, 4.5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 700mW (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 220 pF @ 10 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 3.81 nC @ 4.5 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302
| คุณสมบัติสินค้า | |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | AS2302 | AS2324 | AS2300EHT-ADJ | AS2301 |
| ผู้ผลิต | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | ANISEM | IR |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 100 V | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3A, 4.5V | 280mOhm @ 2A, 10V | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 700mW (Ta) | 1.2W (Ta) | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | ±20V | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.25V @ 250µA | 3V @ 250µA | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23 | SOT-23 | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 3.81 nC @ 4.5 V | 5.3 nC @ 10 V | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 220 pF @ 10 V | 330 pF @ 50 V | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Ta) | 2A (Ta) | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล AS2302 PDF และเอกสาร ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED สำหรับ AS2302 - ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
AS2300EHT-ADJANISEMAS2301IR
AS2316FamsAS2324ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
AS222-92LFSkyworks Solutions Inc.IC RF SWITCH SPDT 3GHZ SC70-6
AS236-321LFSkyworks Solutions, Inc.AS230-348LFSkyworks Solutions, Inc.
AS227-321LFSkyworks Solutions Inc.IC RF SWITCH SP3T 2GHZ 12QFNAS2333FASAS222-92AI
AS2333E-16D-E-00Silicon PowerAS2222-001AS
AS2333CHArtesyn Embedded PowerAS2333EArtesyn Embedded Power
AS225-313LFSkyworks Solutions Inc.IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 6QFNAS2333-16N-F-000Silicon PowerAS2333CASAS225-313Skyworks Solutions, Inc.| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที