ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี AOT7S60L
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT7S60L คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOT7S60L
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.9V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
ชุด | aMOS™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 104W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 372 pF @ 100 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | AOT7 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT7S60L
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | AOT7S60L | AOT7N65 | AOT8N65 | AOT7N60 |
ผู้ผลิต | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V | 23 nC @ 10 V | 28 nC @ 10 V | 28 nC @ 10 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V | 1.56Ohm @ 3.5A, 10V | 1.15Ohm @ 4A, 10V | 1.2Ohm @ 3.5A, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | AOT7 | AOT7 | AOT8 | AOT7 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 372 pF @ 100 V | 1060 pF @ 25 V | 1400 pF @ 25 V | 1035 pF @ 25 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 104W (Tc) | 192W (Tc) | 208W (Tc) | 192W (Tc) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 650 V | 650 V | 600 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 7A (Tc) | 7A (Tc) | 8A (Tc) | 7A (Tc) |
ชุด | aMOS™ | - | - | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3.9V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล AOT7S60L PDF และเอกสาร Alpha & Omega Semiconductor Inc. สำหรับ AOT7S60L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที