ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BQ4015YMA-85
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Benchmarq - BQ4015YMA-85 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Benchmarq - BQ4015YMA-85
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Benchmarq | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 85ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 32-DIP Module (18.42x42.8) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | NVSRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BQ4015 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 85 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Benchmarq BQ4015YMA-85
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BQ4015YMA-85 | BQ4013YMA-70 | BQ4013MA-85 | BQ4013YMA-85 |
| ผู้ผลิต | Benchmarq | Texas Instruments | Benchmarq | Texas Instruments |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 8 | 128K x 8 | 128K x 8 | 128K x 8 |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| เทคโนโลยี | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 32-DIP Module (18.42x42.8) | 32-DIP Module (18.42x42.8) | 32-DIP Module (18.42x42.8) | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit | 1Mbit | 1Mbit | 1Mbit |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) | 32-DIP Module (0.610', 15.49mm) | 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) | 32-DIP Module (0.610', 15.49mm) |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 4.75V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V |
| เวลาในการเข้าถึง | 85 ns | 70 ns | 85 ns | 85 ns |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 85ns | 70ns | 85ns | 85ns |
| ชุด | - | - | - | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | NVSRAM | NVSRAM | NVSRAM | NVSRAM |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BQ4015 | BQ4013 | BQ4013 | BQ4013 |
BQ4013YMA-70Texas InstrumentsIC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULEBQ4013MA-85BenchmarqIC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULEBQ4013YMA-85Texas InstrumentsIC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE
BQ4015YMA-55Texas InstrumentsBQ4050Texas InstrumentsBQ4013YMA-85NTexas InstrumentsIC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULEBQ4015YMA-70Texas InstrumentsIC NVSRAM 4MBIT PAR 32DIP MODULEBQ402695ATexas InstrumentsBQ4013MA-85Texas InstrumentsIC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE
BQ4050RSMRTexas InstrumentsIC BATT MFUNC LI-ION 1-4C 32VQFNBQ40370RSMRTexas InstrumentsPROTOTYPEBQ40320RSMR-R1Texas InstrumentsPROTOTYPE
BQ4015YMB-85BENCHMA
BQ4011YMA-70Texas InstrumentsIC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIPBQ40320RSMRTexas InstrumentsPROTOTYPEBQ4013LYMA-70NTexas InstrumentsIC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIPBQ4015YMA-85Texas InstrumentsIC NVSRAM 4MBIT PAR 32DIP MODULEBQ4013YMA-70NTexas InstrumentsIC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที