ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BYW51-200
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - BYW51-200 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - BYW51-200
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 850 mV @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 15 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYW51 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation BYW51-200
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BYW51-200 | BYW51-200G | BYW51-200 | BYW51-200 |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | onsemi | STMicroelectronics | onsemi |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 15 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 15 µA @ 200 V | 15 µA @ 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220 | TO-220 | TO-220AB |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | 8A | 10A | 10A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYW51 | BYW51 | BYW51 | BYW51 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 850 mV @ 8 A | 970 mV @ 8 A | 850 mV @ 8 A | 850 mV @ 8 A |
| ชุด | - | SWITCHMODE™ | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -65°C ~ 175°C | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
BYW51-200GonsemiDIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB
BYW4200B-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 4A DPAKBYW51-200STMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB
BYW51F-200STMicroelectronicsBYW51-200onsemiDIODE SWITCHING 200V 16ABYW51FP200STMicroelectronics
BYW34-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57BYW51G200STMicroelectronics
BYW54VElectro-Films (EFI) / Vishay
BYW31-400LUMILEDSIGBT ModuleBYW31-50LUMILEDSIGBT ModuleBYW51F200STMicroelectronics
BYW51FP-200STMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 200V 10A TO220FP
BYW51G-200-TRSTMicroelectronicsDIODE ARRAY GP 200V 10A D2PAKBYW32-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57BYW51200STMicroelectronicsBYW36-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57BYW36ELUMILEDS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที