ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NE3514S02-T1C-A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ CEL - NE3514S02-T1C-A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ CEL - NE3514S02-T1C-A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | CEL (California Eastern Laboratories) | |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 2 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 4 V | |
| เทคโนโลยี | GaAs HJ-FET | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | S02 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SMD, Flat Leads | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | 0.75dB | |
| ได้รับ | 10dB | |
| ความถี่ | 20GHz | |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | 70mA | |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 10 mA |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ CEL NE3514S02-T1C-A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NE3514S02-T1C-A | NE3513M04-T2-A | NE3515S02-T1D-A | NE3517S03-T1C-A |
| ผู้ผลิต | CEL | CEL | Renesas Electronics America Inc | CEL |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | - | 125mW | 14dBm | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 4 V | 4 V | 4 V | 4 V |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | 0.75dB | 0.65dB | 0.3dB | 0.7dB |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | S02 | M04 | S02 | S03 |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SMD, Flat Leads | SOT-343F | 4-SMD, Flat Leads | 4-SMD, Flat Leads |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 10 mA | 10 mA | 10 mA | 10 mA |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | 70mA | 60mA | 88mA | 15mA |
| ความถี่ | 20GHz | 12GHz | 12GHz | 20GHz |
| เทคโนโลยี | GaAs HJ-FET | GaAs HJ-FET | HFET | GaAs HJ-FET |
| ได้รับ | 10dB | 13dB | 12.5dB | 13.5dB |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NE3514S02-T1C-A PDF และเอกสาร CEL สำหรับ NE3514S02-T1C-A - CEL
NE3513M04-T2-ACELFET RF 4V 12GHZ M04 4SMDNE3515S02-T1D-ARenesas Electronics America IncSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETNE3517S03-T1C-ACELFET RF 4V 20GHZ S03NE3521M04-T2-ACELIC HJ-FET N-CH GAAS 4SMININE3512S02-T1D-ARenesas Electronics America IncSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETNE3512S02-T1C-ARenesas Electronics America IncSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETNE3512S02-T1CRenesas Electronics CorporationNE3515S02-T1D-ACELFET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02NE3513M04-T2B-ACELFET RF 4V 12GHZ M04 4SMDNE3514S02-T1CRenesas Electronics CorporationNE3512S02-T1C-ACELHJ-FET NCH 13.5DB S02NE3515S02-T1C-ARenesas Electronics America IncSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETNE3517S03-T1C-ARenesas Electronics America IncSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETNE3512S02-T1DNECNE3515S02-T1C-ACELSUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJNE3512S02-T1D-A/JTRenesas Electronics CorporationNE3514S02-T1D-ARenesas Electronics America IncSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETNE3513M04-T2B-ARenesas Electronics America IncSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที