ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี AUIRF3315STRL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - AUIRF3315STRL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - AUIRF3315STRL
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D2PAK | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 12A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.8W (Ta), 94W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1300 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 21A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies AUIRF3315STRL
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | AUIRF3315STRL | AUIRF3205 | AUIRF3205Z | AUIRF3504 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.8W (Ta), 94W (Tc) | 200W (Tc) | 170W (Tc) | 143W (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube | Bulk |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 95 nC @ 10 V | 146 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 54 nC @ 10 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D2PAK | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1300 pF @ 25 V | 3247 pF @ 25 V | 3450 pF @ 25 V | 2150 pF @ 25 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 21A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 87A (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 100µA |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 150 V | 55 V | 55 V | 40 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 12A, 10V | 8mOhm @ 62A, 10V | 6.5mOhm @ 66A, 10V | 9.2mOhm @ 52A, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล AUIRF3315STRL PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ AUIRF3315STRL - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译