ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี AUIRFZ48ZS
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ International Rectifier - AUIRFZ48ZS คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ International Rectifier - AUIRFZ48ZS
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D2PAK | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 37A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 91W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1720 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 61A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ International Rectifier AUIRFZ48ZS
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | AUIRFZ48ZS | AUIRFZ34N | AUIRFZ44ZS | AUIRFZ44NS |
ผู้ผลิต | International Rectifier | Infineon Technologies | International Rectifier | International Rectifier |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | 34 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55 V | 55 V | 55 V | 55 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 37A, 10V | 40mOhm @ 16A, 10V | 13.9mOhm @ 31A, 10V | 17.5mOhm @ 25A, 10V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 91W (Tc) | 68W (Tc) | 80W (Tc) | 3.8W (Ta), 94W (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D2PAK | TO-220AB | D2PAK | TO-220AB |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1720 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V | 1420 pF @ 25 V | 1470 pF @ 25 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 61A (Tc) | 29A (Tc) | 51A (Tc) | 49A (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที