ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี AUIRLR120N
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ International Rectifier - AUIRLR120N คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ International Rectifier - AUIRLR120N
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-PAK (TO-252AA) | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 6A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 48W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 440 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20 nC @ 5 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ International Rectifier AUIRLR120N
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | AUIRLR120N | AUIRLR2905 | AUIRLR014NTRL | AUIRLR2703 |
ผู้ผลิต | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | - | 4.5V, 10V | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 440 pF @ 25 V | 1700 pF @ 25 V | 265 pF @ 25 V | 450 pF @ 25 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 55 V | 55 V | 30 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ชุด | HEXFET® | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | HEXFET® | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-PAK (TO-252AA) | D-Pak | D-PAK (TO-252AA) | D-Pak |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 10A (Tc) | 42A (Tc) | 10A (Tc) | 20A (Tc) |
Vgs (สูงสุด) | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 48W (Tc) | 110W (Tc) | 28W (Tc) | 45W (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 20 nC @ 5 V | 48 nC @ 5 V | 7.9 nC @ 5 V | 15 nC @ 4.5 V |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 6A, 10V | 27mOhm @ 25A, 10V | 140mOhm @ 6A, 10V | 45mOhm @ 14A, 10V |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที