Name: Infineon Technologies BSC100N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC100N03MSGATMA1

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TDSON-8-5
ชุด	OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	10mOhm @ 30A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta), 30W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-PowerTDFN
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1700 pF @ 15 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	23 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	30 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	12A (Ta), 44A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BSC100

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	BSC100N03MSGATMA1	BSC100N10NSFGATMA1	BSC100N03LSG	BSC097N06NSATMA1
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	30 V	100 V	30 V	60 V
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Bulk	Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta), 30W (Tc)	156W (Tc)	2.5W (Ta), 30W (Tc)	2.5W (Ta), 36W (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BSC100	BSC100	-	BSC097
ชุด	OptiMOS™	OptiMOS™	OptiMOS™3	OptiMOS™
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	10V	4.5V, 10V	6V, 10V
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	23 nC @ 10 V	44 nC @ 10 V	17 nC @ 10 V	15 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	±20V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	12A (Ta), 44A (Tc)	11.4A (Ta), 90A (Tc)	13A (Ta), 44A (Tc)	46A (Tc)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TDSON-8-5	PG-TDSON-8-1	PG-TDSON-8	PG-TDSON-8-6
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	2V @ 250µA	4V @ 110µA	2.2V @ 250µA	3.3V @ 14µA
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	1700 pF @ 15 V	2900 pF @ 50 V	1500 pF @ 15 V	1075 pF @ 30 V
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	10mOhm @ 30A, 10V	10mOhm @ 25A, 10V	10mOhm @ 30A, 10V	9.7mOhm @ 40A, 10V

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

BSC100N03MSGATMA1 - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

BSC100N03MSGATMA1 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค