ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BSC152N10NSFG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - BSC152N10NSFG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - BSC152N10NSFG
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 72µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TDSON-8 | |
ชุด | OptiMOS™2 | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 15.2mOhm @ 25A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 114W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerTDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1900 pF @ 50 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 9.4A (Ta), 63A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies BSC152N10NSFG
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | BSC152N10NSFG | BSC146N10LS5ATMA1 | BSC160N10NS3GATMA1 | BSC12DN20NS3GATMA1 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1900 pF @ 50 V | 1300 pF @ 50 V | 1700 pF @ 50 V | 680 pF @ 100 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 15.2mOhm @ 25A, 10V | 14.6mOhm @ 22A, 10V | 16mOhm @ 33A, 10V | 125mOhm @ 5.7A, 10V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TDSON-8 | PG-TDSON-8-6 | PG-TDSON-8-1 | PG-TDSON-8-5 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | 10 nC @ 4.5 V | 25 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 10 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 200 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 72µA | 2.3V @ 23µA | 3.5V @ 33µA | 4V @ 25µA |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ชุด | OptiMOS™2 | OptiMOS™ 5 | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 114W (Tc) | 2.5W (Ta), 52W (Tc) | 60W (Tc) | 50W (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 9.4A (Ta), 63A (Tc) | 44A (Tc) | 8.8A (Ta), 42A (Tc) | 11.3A (Tc) |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที