Name: Infineon Technologies BSP135H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP135H6327XTSA1

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	1V @ 94µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-SOT223-4
ชุด	SIPMOS®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	45Ohm @ 120mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	1.8W (Ta)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-261-4, TO-261AA
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	146 pF @ 25 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	4.9 nC @ 5 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	Depletion Mode
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	0V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	600 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	120mA (Ta)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BSP135

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	BSP135H6327XTSA1	BSP135 E6327	BSP135 L6906	BSP135 L6327
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)	Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	0V, 10V	0V, 10V	-	-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-SOT223-4	PG-SOT223-4	-	-
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	1.8W (Ta)	1.8W (Ta)	-	-
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	-	-
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BSP135	-	-	-
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	-	-
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	-	-
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	1V @ 94µA	1V @ 94µA	-	-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	600 V	600 V	-	-
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	146 pF @ 25 V	146 pF @ 25 V	-	-
ชุด	SIPMOS®	SIPMOS®	-	-
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	120mA (Ta)	120mA (Ta)	-	-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	4.9 nC @ 5 V	4.9 nC @ 5 V	-	-
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-	-
คุณสมบัติ FET	Depletion Mode	Depletion Mode	-	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	45Ohm @ 120mA, 10V	45Ohm @ 120mA, 10V	-	-
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	-	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA	-	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

BSP135H6327XTSA1 - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

BSP135H6327XTSA1 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค