ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BSP297 E6327
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - BSP297 E6327 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - BSP297 E6327
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.8V @ 400µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-SOT223-4 | |
ชุด | SIPMOS® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.8W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 357 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 16.1 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 660mA (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies BSP297 E6327
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | BSP297 E6327 | BSP297L6327 | BSP296E6327 | BSP296NH6327XTSA1 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) | 1.79W (Ta) | 1.8W (Ta) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-SOT223-4 | PG-SOT223-4-21 | PG-SOT223-4 | PG-SOT223-4 |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V | 1.8Ohm @ 660mA, 10V | 700mOhm @ 1.1A, 10V | 600mOhm @ 1.2A, 10V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 660mA (Ta) | 660mA (Ta) | 1.1A (Ta) | 1.2A (Ta) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 16.1 nC @ 10 V | 16.1 nC @ 10 V | 17.2 nC @ 10 V | 6.7 nC @ 10 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 357 pF @ 25 V | 357 pF @ 25 V | 364 pF @ 25 V | 152.7 pF @ 25 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 200 V | 100 V | 100 V |
ชุด | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® | OptiMOS™ |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.8V @ 400µA | 1.8V @ 400µA | 1.8V @ 400µA | 1.8V @ 100µA |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BSP297 E6327 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ BSP297 E6327 - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที