ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BSS7728N
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - BSS7728N คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - BSS7728N
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.3V @ 26µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-SOT23 | |
ชุด | SIPMOS® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 360mW (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 56 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 1.5 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 200mA (Ta) |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies BSS7728N
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | BSS7728N | BSS670S2LH6327XTSA1 | BSS670S2LH6433XTMA1 | BSS7728NH6327 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 55 V | - | 60 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 200mA (Ta) | 540mA (Ta) | - | 200mA (Ta) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.3V @ 26µA | 2V @ 2.7µA | - | 2.3V @ 26µA |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 1.5 nC @ 10 V | 2.26 nC @ 10 V | - | 1.5 nC @ 10 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-SOT23 | PG-SOT23 | - | PG-SOT23-3-5 |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 360mW (Ta) | 360mW (Ta) | - | 360mW (Ta) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
ชุด | SIPMOS® | OptiMOS™ | * | SIPMOS® |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V | 650mOhm @ 270mA, 10V | - | 5Ohm @ 500mA, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 56 pF @ 25 V | 75 pF @ 25 V | - | 56 pF @ 25 V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BSS7728N PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ BSS7728N - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที