ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BSV236SP L6327
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - BSV236SP L6327 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - BSV236SP L6327
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 8µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-SOT363-PO | |
ชุด | OptiMOS™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 560mW (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 228 pF @ 15 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 5.7 nC @ 4.5 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.5A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies BSV236SP L6327
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | BSV236SP L6327 | STP15NM65N | BSV236SPH6327XTSA1 | STU6N90K5 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | STMicroelectronics | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 5.7 nC @ 4.5 V | 33.3 nC @ 10 V | 5.7 nC @ 4.5 V | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.5A (Ta) | 12A (Tc) | 1.5A (Ta) | 6A (Tc) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20 V | 650 V | 20 V | 900 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 1.5A, 4.5V | 380mOhm @ 6A, 10V | 175mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.1Ohm @ 3A, 10V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.2V @ 8µA | 4V @ 250µA | 1.2V @ 8µA | 5V @ 100µA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภท FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
ชุด | OptiMOS™ | MDmesh™ II | OptiMOS™ | MDmesh™ K5 |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 560mW (Ta) | 125W (Tc) | 560mW (Ta) | 110W (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-SOT363-PO | TO-220 | PG-SOT363-PO | IPAK (TO-251) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 228 pF @ 15 V | 983 pF @ 50 V | 228 pF @ 15 V | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | 10V | 2.5V, 4.5V | 10V |
Vgs (สูงสุด) | ±12V | ±25V | ±12V | ±30V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | TO-220-3 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BSV236SP L6327 PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ BSV236SP L6327 - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที