Name: Infineon Technologies BSZ075N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ075N08NS5ATMA1

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3.8V @ 36µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TSDSON-8-26
ชุด	OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 20A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	69W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-PowerTDFN
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	2080 pF @ 40 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	29.5 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	80 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	40A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BSZ075

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	BSZ075N08NS5ATMA1	BSZ070N08LS5ATMA1	BSZ084N08NS5ATMA1	BSZ086P03NS3EGATMA1
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™	OptiMOS™ 5	OptiMOS™	OptiMOS™
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	2080 pF @ 40 V	2340 pF @ 40 V	1820 pF @ 40 V	4785 pF @ 15 V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	3.8V @ 36µA	2.3V @ 36µA	3.8V @ 31µA	3.1V @ 105µA
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	±25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	29.5 nC @ 10 V	5 nC @ 4.5 V	25 nC @ 10 V	57.5 nC @ 10 V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	40A (Tc)	40A (Tc)	40A (Tc)	13.5A (Ta), 40A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BSZ075	BSZ070	BSZ084	BSZ086
คุณสมบัติ FET	-	Standard	-	-
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TSDSON-8-26	PG-TSDSON-8-FL	PG-TSDSON-8-FL	PG-TSDSON-8
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	80 V	80 V	80 V	30 V
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	4.5V, 10V	6V, 10V	6V, 10V
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 20A, 10V	7mOhm @ 20A, 10V	8.4mOhm @ 20A, 10V	8.6mOhm @ 20A, 10V
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	P-Channel
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	69W (Tc)	69W (Tc)	63W (Tc)	2.1W (Ta), 69W (Tc)

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

BSZ075N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

BSZ075N08NS5ATMA1 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค