Name: Infineon Technologies BTS282ZE3230AKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: BTS282ZE3230AKSA2

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	2V @ 240µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO220-7-12
ชุด	TEMPFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 36A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	300W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-220-7
บรรจุุภัณฑ์	Tube

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	4800 pF @ 25 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	232 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	Temperature Sensing Diode
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	49 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	80A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BTS282

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	BTS282ZE3230AKSA2	BTS282ZE3230	BTS247Z E3062A	BTS282Z E3230
ผู้ผลิต	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	232 nC @ 10 V	232 nC @ 10 V	90 nC @ 10 V	232 nC @ 10 V
คุณสมบัติ FET	Temperature Sensing Diode	-	Temperature Sensing Diode	Temperature Sensing Diode
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	2V @ 240µA	2V @ 240µA	2V @ 90µA	2V @ 240µA
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	80A (Tc)	80A (Tc)	33A (Tc)	80A (Tc)
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	300W (Tc)	300W (Tc)	120W (Tc)	300W (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BTS282	-	-	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	PG-TO220-7-12	PG-TO220-7-12	PG-TO263-5-2	P-TO220-7-230
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-220-7	TO-220-7	TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB	TO-220-7
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole	Through Hole	Surface Mount	Through Hole
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 36A, 10V	6.5mOhm @ 36A, 10V	18mOhm @ 12A, 10V	6.5mOhm @ 36A, 10V
บรรจุุภัณฑ์	Tube	Bulk	Tape & Reel (TR)	Tube
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	4800 pF @ 25 V	4800 pF @ 25 V	1730 pF @ 25 V	4800 pF @ 25 V
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
ชุด	TEMPFET®	TEMPFET®	TEMPFET®	TEMPFET®
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	49 V	49 V	55 V	49 V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	±20V

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

BTS282ZE3230AKSA2 - Infineon Technologies

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

BTS282ZE3230AKSA2 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค