ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BUZ100S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - BUZ100S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - BUZ100S
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 130µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-3-1 | |
| ชุด | SIPMOS® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 55A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 170W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2375 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 77A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies BUZ100S
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BUZ100S | BUZ111S | BUZ101L | BUZ102SL |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 77A (Tc) | 80A (Tc) | - | 47A (Tc) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55 V | 55 V | - | 55 V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2375 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | - | 1730 pF @ 25 V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 170W (Tc) | 300W (Tc) | - | 120W (Tc) |
| ชุด | SIPMOS® | SIPMOS® | - | SIPMOS® |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | - | ±14V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 130µA | 4V @ 240µA | - | 2V @ 90µA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 55A, 10V | 8mOhm @ 80A, 10V | - | 18mOhm @ 33A, 10V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | - | TO-220-3 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | 4.5V, 10V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-3-1 | PG-TO220-3-1 | - | TO-220AB |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | 185 nC @ 10 V | - | 90 nC @ 10 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
BUZ100SLINFBUZ111SLCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ111SInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETBUZ100 E3045ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ104SSiemensBUZ110SLE3045ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ103INFBUZ104LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BUZ10 MOSSTMicroelectronicsBUZ101LInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETBUZ103SSiemensBUZ110SLCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ104INFBUZ100INFBUZ102SLInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETBUZ11ASTMicroelectronicsBUZ102Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ102SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที