ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CY14B108N-BA45XI
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - CY14B108N-BA45XI คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - CY14B108N-BA45XI
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 45ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 48-FBGA (6x10) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 48-TFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | NVSRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY14B108 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 45 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies CY14B108N-BA45XI
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | CY14B108N-BA45XI | CY14B116M-ZSP25XI | CY14B108N-BA25XI | CY14B108N-BA45XIT |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| รูปแบบหน่วยความจำ | NVSRAM | NVSRAM | NVSRAM | NVSRAM |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 48-FBGA (6x10) | 54-TSOP II | 48-FBGA (6x10) | 48-FBGA (6x10) |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Mbit | 16Mbit | 8Mbit | 8Mbit |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 48-TFBGA | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 48-TFBGA | 48-TFBGA |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 45ns | 25ns | 25ns | 45ns |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 16 | 1M x 16 | 512K x 16 | 512K x 16 |
| เทคโนโลยี | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| เวลาในการเข้าถึง | 45 ns | 25 ns | 25 ns | 45 ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY14B108 | CY14B116 | CY14B108 | CY14B108 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล CY14B108N-BA45XI PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ CY14B108N-BA45XI - Infineon Technologies
CY14B108N-ZSP25XIT
CY14B108M-ZSP45XITCypress SemiconductorCY14B108L-ZS25XICypress SemiconductorCY14B116M-ZSP25XIInfineon TechnologiesIC NVSRAM 16MBIT PAR 54TSOP IICY14B108L-ZS45XITCypress SemiconductorCY14B108M-ZSP25XICY14B108L-ZS45XICypress SemiconductorCY14B116K-ZS25XICypress SemiconductorCY14B116L-ZS25XICypress SemiconductorCY14B116L-ZS45XICypress SemiconductorCY14B108M-ZSP25XITCypress SemiconductorCY14B116L-Z30XICypress SemiconductorCY14B108N-BA25XIInfineon TechnologiesIC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGACY14B108N-BA45XITInfineon TechnologiesIC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGACY14B108L-ZS45XIESCypress SemiconductorCY14B108N-ZSP25XIInfineon TechnologiesIC NVSRAM 8MBIT PAR 54TSOP IICY14B108N-ZSP45XIInfineon TechnologiesIC NVSRAM 8MBIT PAR 54TSOP IICY14B108M-ZSP45XIInfineon TechnologiesIC NVSRAM 8MBIT PAR 54TSOP II| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที