ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CY7C1009B-20VC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - CY7C1009B-20VC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - CY7C1009B-20VC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 20ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Asynchronous | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 32-SOJ | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 32-BSOJ (0.300', 7.62mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C1009 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 20 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies CY7C1009B-20VC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | CY7C1009B-20VC | CY7C1010DV33-10ZSXIT | CY7C1009D-10VXIT | CY7C1009D-10VXI |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Mbit | 2Mbit | 1Mbit | 1Mbit |
| เวลาในการเข้าถึง | 20 ns | 10 ns | 10 ns | 10 ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 32-SOJ | 44-TSOP II | 32-SOJ | 32-SOJ |
| เทคโนโลยี | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 32-BSOJ (0.300', 7.62mm Width) | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) | 32-BSOJ (0.300', 7.62mm Width) |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C1009 | CY7C1010 | CY7C1009 | CY7C1009 |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128K x 8 | 256K x 8 | 128K x 8 | 128K x 8 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | 3V ~ 3.6V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 20ns | 10ns | 10ns | 10ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล CY7C1009B-20VC PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ CY7C1009B-20VC - Infineon Technologies
CY7C1009B-15VICypress SemiconductorCY7C1010DV33-10ZSXITInfineon TechnologiesIC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP IICY7C1009-20DMBCypress SemiconductorCY7C1009L-25DMBCypress SemiconductorCY7C100915VCCypress SemiconductorCY7C1009V33-20VCCypress SemiconductorCY7C1009-15VCTCypress SemiconductorCY7C1009-12VCCypress SemiconductorCY7C1009D-10VXITInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJCY7C1009B-12VCTCypress SemiconductorCY7C1009BN-15VCTCypress SemiconductorCY7C1009BN-15VICypress SemiconductorCY7C1009D-10VXIInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJCY7C1009-15VCT/RCypress SemiconductorCY7C1009-15VCCypress SemiconductorCY7C1009B-15VCInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
CY7C1010DV33-10ZSXIInfineon TechnologiesIC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
CY7C1010DV33-10VXIInfineon TechnologiesIC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที