ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CY7C1018DV33-10VXI
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - CY7C1018DV33-10VXI คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - CY7C1018DV33-10VXI
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 10ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Asynchronous | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 32-SOJ | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C1018 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 10 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies CY7C1018DV33-10VXI
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | CY7C1018DV33-10VXI | CY7C1011DV33-10BVXIT | CY7C1012AV33-8BGC | CY7C1011DV33-10ZSXI |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128K x 8 | 128K x 16 | 512K x 24 | 128K x 16 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tray | Tray |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Mbit | 2Mbit | 12Mbit | 2Mbit |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C1018 | CY7C1011 | CY7C1012 | CY7C1011 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) | 48-VFBGA | 119-BGA | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| เวลาในการเข้าถึง | 10 ns | 10 ns | 8 ns | 10 ns |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 10ns | 10ns | 8ns | 10ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 32-SOJ | 48-VFBGA (6x8) | 119-PBGA (14x22) | 44-TSOP II |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล CY7C1018DV33-10VXI PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ CY7C1018DV33-10VXI - Infineon Technologies
CY7C1019BV33-10VCTCypress SemiconductorCY7C1019-12VCCypress Semiconductor
CY7C1019-15VCCYCY7C1011DV33-10BVXITInfineon TechnologiesIC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGACY7C1012AV33-8BGCInfineon TechnologiesIC SRAM 12MBIT PARALLEL 119PBGACY7C10141CV33-12ZXICypress SemiconductorCY7C1019BV33-12VCCypress SemiconductorCY7C1011DV33-10ZSXIInfineon TechnologiesIC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP IICY7C1012AV33-10BGC
CY7C1018BV33-12VCCypress Semiconductor CorpIC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJCY7C1018DV33-10VXITInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJCY7C1019B-12VCInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJCY7C1012DV33-10BGXICypress SemiconductorCY7C1019-15VCTCypress SemiconductorCY7C1011DV33-10ZSXITInfineon TechnologiesIC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP IICY7C10191B-10VCCypress SemiconductorCY7C1018CV33-12VXICY7C1019B-15VCCypress Semiconductor| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที