ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CY7C10211BN-10ZXC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - CY7C10211BN-10ZXC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - CY7C10211BN-10ZXC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 10ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Asynchronous | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-TSOP II | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64K x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C1021 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 10 ns |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | 3A991B2B |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies CY7C10211BN-10ZXC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | CY7C10211BN-10ZXC | CY7C1021B-15ZXC | CY7C1021B-15ZC | CY7C1021B-12ZXCT |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-TSOP II | 44-TSOP II | 44-TSOP II | 44-TSOP II |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64K x 16 | 64K x 16 | 64K x 16 | 64K x 16 |
| เทคโนโลยี | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Mbit | 1Mbit | 1Mbit | 1Mbit |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| ชุด | - | - | - | - |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 10ns | 15ns | 15ns | 12ns |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C1021 | CY7C1021 | CY7C1021 | CY7C1021 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Bag | Bag | Tape & Reel (TR) |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| เวลาในการเข้าถึง | 10 ns | 15 ns | 15 ns | 12 ns |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล CY7C10211BN-10ZXC PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ CY7C10211BN-10ZXC - Infineon Technologies
CY7C1021-12ZCTCypress Semiconductor
CY7C1021-15ZCCYCY7C1021B-15ZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP IICY7C1021-15VICypress SemiconductorCY7C1021-20ZCCRYESSCY7C1021-15ZICypress SemiconductorCY7C1021B-12VCTCypress SemiconductorCY7C1021B-12ZCCY7C1021B-15ZCInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP IICY7C1021B-15ZICypress SemiconductorCY7C1021-15VCCypress SemiconductorCY7C1021-20VCCypress SemiconductorCY7C1021B-12ZXCTInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP IICY7C1021-12ZCCypress Semiconductor
CY7C1021B-12VICypress Semiconductor CorpIC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJCY7C1021B-15VCInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJCY7C1021-15VCTCypress SemiconductorCY7C1021B-12ZCTCypress Semiconductor| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที