ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CY7C1148KV18-400BZC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - CY7C1148KV18-400BZC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - CY7C1148KV18-400BZC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Synchronous, DDR II+ | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 165-FBGA (13x15) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 165-LBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 18Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1M x 18 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 400 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C1148 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies CY7C1148KV18-400BZC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | CY7C1148KV18-400BZC | CY7C109D-10VXIT | CY7C109B-15ZXCT | CY7C109V33-15VC |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor Corp |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| ขนาดหน่วยความจำ | 18Mbit | 1Mbit | 1Mbit | 1Mbit |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | SRAM - Synchronous, DDR II+ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C1148 | CY7C109 | CY7C109 | CY7C109 |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | 10ns | 15ns | 15ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 165-LBGA | 32-BSOJ (0.400', 10.16mm Width) | 32-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 3V ~ 3.6V |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1M x 18 | 128K x 8 | 128K x 8 | 128K x 8 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 165-FBGA (13x15) | 32-SOJ | 32-TSOP I | 32-SOJ |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| ความถี่นาฬิกา | 400 MHz | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล CY7C1148KV18-400BZC PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ CY7C1148KV18-400BZC - Infineon Technologies
CY7C109D-10VXITInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
CY7C109B-25VCCY
CY7C122-35DCCypress SemiconductorCY7C109B-20VCTCypress SemiconductorCY7C109B-15ZXCTInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP ICY7C1165KV18-400BZXCCypress SemiconductorCY7C109V33-15VCCypress Semiconductor CorpIC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJCY7C109D-10VXIInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJCY7C109L-15VICYCY7C123-7VCCypress SemiconductorCY7C1168KV18-400BZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGACY7C109D-10ZXICypress SemiconductorCY7C122-15PCCypress SemiconductorCY7C1217F-100ACCypress SemiconductorCY7C11701KV18-400BZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGACY7C109B-20VICypress SemiconductorCY7C1148KV18-400BZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGACY7C122-25SCCYPRES| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที