ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CY7C130-55PC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - CY7C130-55PC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - CY7C130-55PC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 55ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Dual Port, Asynchronous | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 48-PDIP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 48-DIP (0.600", 15.24mm) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C130 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 55 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies CY7C130-55PC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | CY7C130-55PC | CY7C1302DV25-167BZXC | CY7C1305TV25-167BZXC | CY7C1303BV25-167BZC |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 48-PDIP | 165-FBGA (13x15) | 165-FBGA (13x15) | 165-FBGA (13x15) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C130 | CY7C1302 | CY7C1305 | CY7C1303 |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1K x 8 | 512K x 18 | 1M x 18 | 1M x 18 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 48-DIP (0.600", 15.24mm) | 165-LBGA | 165-LBGA | 165-LBGA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tray | Tray | Tray |
| เวลาในการเข้าถึง | 55 ns | - | - | - |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 55ns | - | - | - |
| เทคโนโลยี | SRAM - Dual Port, Asynchronous | SRAM - Synchronous, QDR | SRAM - Synchronous, QDR | SRAM - Synchronous, QDR |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Kbit | 9Mbit | 18Mbit | 18Mbit |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | 2.4V ~ 2.6V | 2.4V ~ 2.6V | 2.4V ~ 2.6V |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล CY7C130-55PC PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ CY7C130-55PC - Infineon Technologies
CY7C1302CV25-167BZCCypress SemiconductorCY7C1302DV25-167BZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 165FBGACY7C1297F-117ACCypress SemiconductorCY7C128A-55PCCypress SemiconductorCY7C1297A-66ACCypress Semiconductor
CY7C130-45DMBCYCY7C1299A-83ACCypress SemiconductorCY7C128A-55DMBCypress SemiconductorCY7C130-30PCCypress SemiconductorCY7C1305TV25-167BZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PAR 165FBGACY7C1305AV25-167BZCCypress SemiconductorCY7C1305V25-167BZCCypress SemiconductorCY7C1303BV25-167BZCInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PAR 165FBGACY7C1305TV25-167BZCInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
CY7C1297H-133AXCInfineon TechnologiesIC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFPCY7C1302CV25-133BZCCypress SemiconductorCY7C128A-55VCCypress SemiconductorCY7C130-55DC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที