ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CY7C1321KV18-250BZXC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - CY7C1321KV18-250BZXC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - CY7C1321KV18-250BZXC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Synchronous, DDR II | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 165-FBGA (13x15) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 165-LBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 18Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 36 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 250 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C1321 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies CY7C1321KV18-250BZXC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | CY7C1321KV18-250BZXC | CY7C1320CV18-167BZC | CY7C1320KV18-250BZXC | CY7C1324H-133AXC |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 165-LBGA | 165-LBGA | 165-LBGA | 100-LQFP |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.9V | 3.15V ~ 3.6V |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ความถี่นาฬิกา | 250 MHz | 167 MHz | 250 MHz | 133 MHz |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| เทคโนโลยี | SRAM - Synchronous, DDR II | SRAM - Synchronous, DDR II | SRAM - Synchronous, DDR II | SRAM - Synchronous, SDR |
| ขนาดหน่วยความจำ | 18Mbit | 18Mbit | 18Mbit | 2Mbit |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C1321 | CY7C1320 | CY7C1320 | CY7C1324 |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 36 | 512K x 36 | 512K x 36 | 128K x 18 |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 165-FBGA (13x15) | 165-FBGA (13x15) | 165-FBGA (13x15) | 100-TQFP (14x20) |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล CY7C1321KV18-250BZXC PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ CY7C1321KV18-250BZXC - Infineon Technologies
CY7C132-55PCCypress SemiconductorCY7C1320CV18-167BZCInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PAR 165FBGACY7C1320AV18-167BZCCypress SemiconductorCY7C1320KV18-250BZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PAR 165FBGACY7C1324H-133AXCInfineon TechnologiesIC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
CY7C1325F-100ACCYCY7C1320CV18-250BZCInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PAR 165FBGACY7C1325B-100ACCypress SemiconductorCY7C1320CV18-250BZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PAR 165FBGACY7C1325B-117ACCYCY7C1320KV18-333BZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGACY7C1325F-117ACCypress SemiconductorCY7C1324-117ACCypress Semiconductor
CY7C1325B-100BGCCypress Semiconductor CorpIC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGACY7C1324F-117ACCypress Semiconductor
CY7C1324-100ACCypress Semiconductor CorpIC SRAM 2MBIT PAR 100TQFPCY7C1320BV18-167BZXCCypress SemiconductorCY7C1320AV18-200BZCCypress Semiconductor| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที