ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CY7C136-55NXC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - CY7C136-55NXC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - CY7C136-55NXC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 55ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Dual Port, Asynchronous | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 52-PQFP (10x10) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 52-BQFP | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 2K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C136 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 55 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies CY7C136-55NXC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | CY7C136-55NXC | CY7C1360C-166AXI | CY7C136-25NXC | CY7C136-55NXI |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| เทคโนโลยี | SRAM - Dual Port, Asynchronous | SRAM - Synchronous, SDR | SRAM - Dual Port, Asynchronous | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 52-BQFP | 100-LQFP | 52-BQFP | 52-BQFP |
| เวลาในการเข้าถึง | 55 ns | 3.5 ns | 25 ns | 55 ns |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | 3.135V ~ 3.6V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Kbit | 9Mbit | 16Kbit | 16Kbit |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 52-PQFP (10x10) | 100-TQFP (14x20) | 52-PQFP (10x10) | 52-PQFP (10x10) |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 55ns | - | 25ns | 55ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| องค์กรหน่วยความจำ | 2K x 8 | 256K x 36 | 2K x 8 | 2K x 8 |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C136 | CY7C1360 | CY7C136 | CY7C136 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล CY7C136-55NXC PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ CY7C136-55NXC - Infineon Technologies
CY7C1360C-166AXIInfineon TechnologiesIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFPCY7C136-25NXCInfineon TechnologiesIC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PQFPCY7C136-55NXIInfineon TechnologiesIC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PQFP
CY7C1360B-166AJCCypress SemiconductorCY7C1360B-166ACCypress SemiconductorCY7C136-35NCCypress SemiconductorCY7C136-25NCInfineon TechnologiesIC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PQFPCY7C1360B-166AJXCCypress Semiconductor
CY7C136-55JXCInfineon TechnologiesIC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCCCY7C1360B-200ACCypress SemiconductorCY7C136-35JCCypress SemiconductorCY7C136-55NCInfineon TechnologiesIC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PQFP
CY7C1360C-166AJXCInfineon TechnologiesIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFPCY7C136-45JCCypress SemiconductorCY7C1360C-166AJXCTInfineon TechnologiesIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFPCY7C136-25JXCTInfineon TechnologiesIC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCCCY7C136-55JIInfineon TechnologiesIC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCCCY7C1360C-166AXCInfineon TechnologiesIC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที