ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี CY7C2165KV18-550BZC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - CY7C2165KV18-550BZC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - CY7C2165KV18-550BZC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Synchronous, QDR II+ | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 165-FBGA (13x15) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 165-LBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 18Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 36 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 550 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C2165 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies CY7C2165KV18-550BZC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | CY7C2165KV18-550BZC | CY7C2263KV18-550BZXC | CY7C2263KV18-450BZXI | CY7C199D-10VXI |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| เทคโนโลยี | SRAM - Synchronous, QDR II+ | SRAM - Synchronous, QDR II+ | SRAM - Synchronous, QDR II+ | SRAM - Asynchronous |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512K x 36 | 2M x 18 | 2M x 18 | 32K x 8 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 165-LBGA | 165-LBGA | 165-LBGA | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tube |
| ขนาดหน่วยความจำ | 18Mbit | 36Mbit | 36Mbit | 256Kbit |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 165-FBGA (13x15) | 165-FBGA (13x15) | 165-FBGA (13x15) | 28-SOJ |
| ความถี่นาฬิกา | 550 MHz | 550 MHz | 450 MHz | - |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | 10ns |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.9V | 4.5V ~ 5.5V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | CY7C2165 | CY7C2263 | CY7C2263 | CY7C199 |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล CY7C2165KV18-550BZC PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ CY7C2165KV18-550BZC - Infineon Technologies
CY7C225A-25PCCypress SemiconductorCY7C2263KV18-550BZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
CY7C2147-35PCCYPERSSCY7C199D-10ZXITCY7C2263KV18-450BZXIInfineon TechnologiesIC SRAM 36MBIT PAR 165FBGACY7C199D-10VXIInfineon TechnologiesIC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJCY7C199CNL-15VXIInfineon TechnologiesIC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJCY7C2170KV18-400BZXCCY7C199D-10VXITInfineon TechnologiesIC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
CY7C199L-15ZCCypress Semiconductor CorpIC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP ICY7C2263KV18-550BZXIInfineon TechnologiesIC SRAM 36MBIT PAR 165FBGACY7C199D-10ZXICypress SemiconductorCY7C2170KV18-550BZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
CY7C199NL-15ZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP ICY7C199L-15ZCRochester Electronics, LLCCY7C199L - 32K X 8 STATIC RAMCY7C225A-30JCCypress SemiconductorCY7C225A-25JCCYPCY7C225-40PCCypress Semiconductor| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที