ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี D901S45T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - D901S45T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - D901S45T
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3.5 V @ 2500 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 4500 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-200AD |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 250 mA @ 4500 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1225A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | D901S45 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies D901S45T
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | D901S45T | RB521VM-40TE-17 | B3100-13-F | D901S43T |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Rohm Semiconductor | Diodes Incorporated | Eupec (Infineon) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1225A | 200mA | 3A | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 100pF @ 4V, 1MHz | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Schottky | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | UMD2 | SMC | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 125°C | 125°C (Max) | -55°C ~ 125°C | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | D901S45 | RB521 | B3100 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 4500 V | 40 V | 100 V | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-200AD | SC-90, SOD-323F | DO-214AB, SMC | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 3.5 V @ 2500 A | 540 mV @ 200 mA | 790 mV @ 3 A | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 250 mA @ 4500 V | 90 µA @ 40 V | 500 µA @ 100 V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล D901S45T PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ D901S45T - Infineon Technologies
D901S43TEupec (Infineon)IGBT ModuleD901S39TEupec (Infineon)IGBT ModuleRB521VM-40TE-17Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2D901S36TEupec (Infineon)IGBT ModuleD901S42TEupec (Infineon)IGBT Module
D90NH02LSTMicroelectronicsB3100-13-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC
D9001MF-HDESTINYD901S38TEupec (Infineon)IGBT ModuleD901S44TEupec (Infineon)IGBT ModuleD9001SJ4+EETDESTINYD9046GM-101NECD901S37TEupec (Infineon)IGBT ModuleD901S35TEupec (Infineon)IGBT ModuleD901S40TEupec (Infineon)IGBT Module
D905J.W. WincoPLASTIC FLUTED STAR KNOB, BRASSD901S41TEupec (Infineon)IGBT ModuleD90N2LSTMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที