ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี F4-50R12MS4
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - F4-50R12MS4 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - F4-50R12MS4
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.75V @ 15V, 50A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ชุด | EconoDUAL™2 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 355 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Module | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | Yes | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 3.4 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1 mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 70 A | |
| องค์ประกอบ | Full Bridge Inverter | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | F4-50R |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies F4-50R12MS4
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | F4-50R12MS4 | F4-50R07W2H3_B51 | F4-50R07W1H3_B11A | F4-75R06KL4 |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 650 V | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Module | Module | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.75V @ 15V, 50A | 1.7V @ 15V, 25A | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 70 A | 65 A | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | Module | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | - | - |
| กทช Thermistor | Yes | Yes | - | - |
| ชุด | EconoDUAL™2 | EasyBRIDGE | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | F4-50R | F4-50 | - | - |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| องค์ประกอบ | Full Bridge Inverter | Full Bridge Inverter | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | - | - |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 3.4 nF @ 25 V | 2.95 nF @ 25 V | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1 mA | 1 mA | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 355 W | 520 W | - | - |
| อินพุต | Standard | Standard | - | - |
F4-50R07W1H3_B11ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleF4-75R06KL4Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleF4-50R07W2H3-B51ENGINFIENONIGBT ModuleF4-75R06W1EINFIENONIGBT ModuleF4-50R12SK4INFIENONIGBT ModuleF4-75R07W2H3_B51Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleF4-50R12KS4Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleF4-50R12KS4_B11Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleF4-50R07W1H3-B11AIGBTIGBT ModuleF4-75R12KS4_B11Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleF4-50R06W1E3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleF4-75R07W1H3_B11ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleF4-50R07W2H3_B51Infineon TechnologiesIGBT MODULE VCES 650V 50AF4-75R12KS4Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleF4-50R06NE3INFIENONIGBT ModuleF4-75R12KE3INFIENONIGBT ModuleF4-75R06W1E3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleF4-75R06NE3INFIENONIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที