ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FM22L16-55-TG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - FM22L16-55-TG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - FM22L16-55-TG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 110ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FRAM (Ferroelectric RAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-TSOP II | |
| ชุด | F-RAM™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256K x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FM22L16 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 110 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies FM22L16-55-TG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FM22L16-55-TG | FM22LD16-55-BG | FM21L16-60-TG | FM21LD16-60-BG |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| เทคโนโลยี | FRAM (Ferroelectric RAM) | FRAM (Ferroelectric RAM) | FRAM (Ferroelectric RAM) | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-TSOP II | 48-FBGA (6x8) | 44-TSOP II | 48-FBGA (6x8) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256K x 16 | 256K x 16 | 128K x 16 | 128K x 16 |
| เวลาในการเข้าถึง | 110 ns | 110 ns | 110 ns | 110 ns |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 110ns | 110ns | 110ns | 110ns |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FRAM | FRAM | FRAM | FRAM |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Mbit | 4Mbit | 2Mbit | 2Mbit |
| ชุด | F-RAM™ | F-RAM™ | F-RAM™ | F-RAM™ |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 48-TFBGA | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 48-TFBGA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FM22L16 | FM22LD16 | FM21L16 | FM21LD16 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FM22L16-55-TG PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ FM22L16-55-TG - Infineon Technologies
FM21MQ15AMercury
FM21L16Ramtron (Cypress Semiconductor)FM23-CE-382BFORTEMEDIFM22L16-55-TG..Ramtron (Cypress Semiconductor)FM22L16-55-TGRamtronIC FRAM 4MBIT 55NS 44TSOPIIFM220-MFORMOSAFM2301AFM2306AFORTEMEDFM2200-S-TGWILLASFM22LD16-55-BGInfineon TechnologiesIC FRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGAFM22L16-ALT1Ramtron (Cypress Semiconductor)FM21L16-60-TGInfineon TechnologiesIC FRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP IIFM220M-TG-WSWILLASFM2201FMFM2306AS3PTRFM2307FMFM21LD16-60-BGInfineon TechnologiesIC FRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGAFM22L16Ramtron (Cypress Semiconductor)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที