ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FM25L04B-GTR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - FM25L04B-GTR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - FM25L04B-GTR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FRAM (Ferroelectric RAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | F-RAM™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512 x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 20 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FM25L04 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies FM25L04B-GTR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FM25L04B-GTR | FM25L16B-DG | FM25L04B-GA | FM25L04B-GATR |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor Corp | Infineon Technologies |
| ความถี่นาฬิกา | 20 MHz | 20 MHz | 10 MHz | 10 MHz |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512 x 8 | 2K x 8 | 512 x 8 | 512 x 8 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-WDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Kbit | 16Kbit | 4Kbit | 4Kbit |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V | 3V ~ 3.6V |
| เทคโนโลยี | FRAM (Ferroelectric RAM) | FRAM (Ferroelectric RAM) | FRAM (Ferroelectric RAM) | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| ชุด | F-RAM™ | F-RAM™ | Automotive, AEC-Q100, F-RAM™ | Automotive, AEC-Q100, F-RAM™ |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FRAM | FRAM | FRAM | FRAM |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FM25L04 | FM25L16 | FM25L04 | FM25L04 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-DFN (4x4.5) | 8-SOIC | 8-SOIC |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TA) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | SPI | SPI | SPI |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FM25L04B-GTR PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ FM25L04B-GTR - Infineon Technologies
FM25L16B-DGInfineon TechnologiesIC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8DFNFM25L04B-GACypress Semiconductor CorpIC FRAM 4KBIT SPI 10MHZ 8SOIC
FM25L04-GTRRamtron (Cypress Semiconductor)FM25L04-GARamtron (Cypress Semiconductor)FM25L04B-GATRInfineon TechnologiesIC FRAM 4KBIT SPI 10MHZ 8SOICFM25L16B-DGTRInfineon TechnologiesIC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8DFNFM25L16BRamtron (Cypress Semiconductor)
FM25L04BGACY/RAMTRON
FM25L04B-GInfineon TechnologiesIC FRAM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOICFM25L04B-GATR.CYP/RAMTRONFM25L04-SRamtron (Cypress Semiconductor)FM25L16-GRamtron (Cypress Semiconductor)FM25L16B-GInfineon TechnologiesIC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
FM25L04B-DGCypress SemiconductorFM25L16B-G3TRCYP/RAMTRONFM25L04-STRRamtron (Cypress Semiconductor)FM25L16-GTRCYP/RAMTRONFM25L16| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที