ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FM25VN10-G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - FM25VN10-G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - FM25VN10-G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FRAM (Ferroelectric RAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | F-RAM™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 40 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FM25VN10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies FM25VN10-G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FM25VN10-G | FM25V20A-DGTR | FM25W256-G | FM25W256-GTR |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ชุด | F-RAM™ | F-RAM™ | F-RAM™ | F-RAM™ |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Mbit | 2Mbit | 256Kbit | 256Kbit |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI | SPI | SPI | SPI |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | FRAM (Ferroelectric RAM) | FRAM (Ferroelectric RAM) | FRAM (Ferroelectric RAM) | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FM25VN10 | FM25V20 | FM25W256 | FM25W256 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-DFN (5x6) | 8-SOIC | 8-SOIC |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-WDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128K x 8 | 256K x 8 | 32K x 8 | 32K x 8 |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FRAM | FRAM | FRAM | FRAM |
| ความถี่นาฬิกา | 40 MHz | 40 MHz | 20 MHz | 20 MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2V ~ 3.6V | 2V ~ 3.6V | 2.7V ~ 5.5V | 2.7V ~ 5.5V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FM25VN10-G PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ FM25VN10-G - Infineon Technologies
FM25V40-GTRCypress SemiconductorFM25V40A-GTRCypress Semiconductor
FM25V40-GCRamtron (Cypress Semiconductor)
FM25W04-DN-T-GFMFM25V20A-DGTRInfineon TechnologiesIC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8DFNFM25W256-GInfineon TechnologiesIC FRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOICFM25V20C-GRamtron (Cypress Semiconductor)FM25W32-SOB-T-GFMFM25W256-GTRInfineon TechnologiesIC FRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOICFM25W32-SO-T-GFMFM25V20A-GTRInfineon TechnologiesIC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOICFM25V20A-GInfineon TechnologiesIC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOICFM25W04-SO-T-GFMFM25V40-PGCRamtron (Cypress Semiconductor)FM260-LFORMOSA
FM25V20A-PGInfineon TechnologiesIC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8DIPFM25W32-SOB-U-GFMFM25VN10-GTRInfineon TechnologiesIC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที