ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FM28V202A-TG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - FM28V202A-TG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - FM28V202A-TG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 90ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FRAM (Ferroelectric RAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-TSOP II | |
| ชุด | F-RAM™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128K x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FM28V202 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 90 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies FM28V202A-TG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FM28V202A-TG | FM28V100-TG | FM28V100-TGTR | FM28V102A-TG |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| เทคโนโลยี | FRAM (Ferroelectric RAM) | FRAM (Ferroelectric RAM) | FRAM (Ferroelectric RAM) | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128K x 16 | 128K x 8 | 128K x 8 | 64K x 16 |
| เวลาในการเข้าถึง | 90 ns | 90 ns | 90 ns | 90 ns |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FM28V202 | FM28V100 | FM28V100 | FM28V102 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 44-TSOP II | 32-TSOP I | 32-TSOP I | 44-TSOP II |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 32-TFSOP (0.465', 11.80mm Width) | 32-TFSOP (0.465', 11.80mm Width) | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2V ~ 3.6V | 2V ~ 3.6V | 2V ~ 3.6V | 2V ~ 3.6V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tape & Reel (TR) | Tray |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FRAM | FRAM | FRAM | FRAM |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 90ns | 90ns | 90ns | 90ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ชุด | F-RAM™ | F-RAM™ | F-RAM™ | F-RAM™ |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Mbit | 1Mbit | 1Mbit | 1Mbit |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล FM28V202A-TG PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ FM28V202A-TG - Infineon Technologies
FM28V100-TGInfineon TechnologiesIC FRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP IFM28V100-TGTRInfineon TechnologiesIC FRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
FM28V402-SGRamtron (Cypress Semiconductor)FM28V102A-TGInfineon TechnologiesIC FRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
FM28V020A-TGCypress Semiconductor
FM2G100US120Fairchild (onsemi)IGBT ModuleFM28VO20-SGRamtron (Cypress Semiconductor)
FM2G200US60 FMC7G30US60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleFM2G150US120Fairchild (onsemi)IGBT Module
FM28V402-TGCRAMFM28V20-SGRamtron (Cypress Semiconductor)FM2G150US60Fairchild (onsemi)IGBT Module
FM28V020-SGTRInfineon TechnologiesIC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOICFM28V200-TGCRamtron (Cypress Semiconductor)FM28V202-TGCYP/RAMTRONFM2G200US120Fairchild (onsemi)IGBT Module
FM28V020-T28GInfineon TechnologiesIC FRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
FM28V020-TGInfineon TechnologiesIC FRAM 256KBIT PARALLEL 32STSOP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที