ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IDD05SG60C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IDD05SG60C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IDD05SG60C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.3 V @ 5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO252-3 | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | CoolSiC™+ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 30 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 5A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 110pF @ 1V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IDD05SG60C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IDD05SG60C | IDD08SG60CXTMA2 | IDD03SG60C D03G60C | IDD04S60C D04S60C |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 110pF @ 1V, 1MHz | 240pF @ 1V, 1MHz | - | - |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | - | - |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 30 µA @ 600 V | 70 µA @ 600 V | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO252-3 | PG-TO252-3 | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - |
| ชุด | CoolSiC™+ | CoolSiC™+ | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 5A | 8A | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.3 V @ 5 A | 2.1 V @ 8 A | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | - | - |
IDD03SG60C D03G60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDD04S60C D04S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDD09E60 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDD04SG60CXTMA2 D04G60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDD05G120C5 D0512C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDD04S06CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDD06SG60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDD10SG60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDD09E60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDD09SG60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDD08SG60CXTMA2Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 600V 8A TO252-3IDD04S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDD06E60 D06E60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDD03SG60CXTMA2InfineonIDD03SG60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDD04SG60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDD06E60INENOIIDD08SG60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที