ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IDH10SG60C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IDH10SG60C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IDH10SG60C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.1 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2-2 | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | CoolSiC™+ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 90 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 290pF @ 1V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IDH10SG60C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IDH10SG60C | IDH10G65C6XKSA1 | IDH12G65C5 | IDH10S60C |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| ชุด | CoolSiC™+ | - | - | - |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2 | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 290pF @ 1V, 1MHz | 495pF @ 1V, 1MHz | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 650 V | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 24A | - | - |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 90 µA @ 600 V | 33 µA @ 420 V | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.1 V @ 10 A | 1.35 V @ 10 A | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | - |
IDH12G65C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH12S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2IDH10G120C5 D1012C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH12S60C D12S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH12SG60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10G65C6INEINEONIDH10SG60C D10G60CINFINE0NIDH12G65C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10S120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH10G120C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH12G65C5XKSA2InfineonIDH10G65C5ZInfineonIDH12SG60C D12G60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10G65C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH12G65C5 D1265C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10G65C5 D1065C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที