ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IDH10SG60C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - IDH10SG60C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - IDH10SG60C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.1 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2-2 | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | CoolSiC™+ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 90 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 290pF @ 1V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies IDH10SG60C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IDH10SG60C | IDH10G65C6XKSA1 | IDH10G120C5 D1012C5 | IDH12G65C5 D1265C5 |
| ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| ชุด | CoolSiC™+ | - | - | - |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 0 ns | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2 | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 290pF @ 1V, 1MHz | 495pF @ 1V, 1MHz | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 650 V | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 24A | - | - |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 90 µA @ 600 V | 33 µA @ 420 V | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.1 V @ 10 A | 1.35 V @ 10 A | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | - |
IDH10G120C5 D1012C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH12G65C5 D1265C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2IDH12SG60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH12S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH09SG60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH16G120C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH09SG60C 09G60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10G65C5 D1065C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10SG60C D10G60CINFINE0NIDH10G120C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10S120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH15S120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH10S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH10G65C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH12G65C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH12G65C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10G65C6INEINEON| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที